Структурні характеристики MOS -трубки та IGBT

В електронних схемах часто з'являються MOS та IGBT, і всі вони можуть використовуватися як елементи перемикання. MOS та IGBT також дещо схожі за зовнішнім виглядом та характерними параметрами. Чому деякі схеми використовують MOS? А деякі схеми використовують IGBT?

Модуль IGBT складається з додаткового шару на стоці МОП -транзистора.

Модуль IGBT насправді являє собою комбінацію МОП -транзистора та транзисторного тріода. Недоліком МОП-транзистора є високий опір опору, але модуль IGBT позбавляє його від цього недоліку, а модуль IGBT все ще має низький опір опору при високій напрузі.

Крім того, при аналогічній потужності модулів IGBT та МОП -транзисторів швидкість роботи модулів IGBT може бути повільнішою, ніж у МОП -транзисторів.

Вище наведено структурні характеристики МОП -трубки та IGBT, запроваджені компанією Inheritance Electronics